안승언 (Seung Eon Ahn)
* Assistant Professor. Department of Nano & Semiconductor Engineering Tech University of Korea, Siheung, Korea
- Address: 연구실, Tech University of Korea
- Email: seahn@tukorea.ac.kr
- Phone: +82-31-8041-0713
Education
- Ph. D. in Electrical Engineering, Korea University
- M.S. in Electrical Engineering, Korea University
- B.S. in Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University
Experience
- Research staff member, Device Lab, Samsung Advanced Institute of Technology.
- Senior Researcher, Mechatronics R&D Center, Samsung Electronics.
- Assistant Professor. Department of Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University
AFND (Advanced Functional nano device Lab.)
첨단 기능 나노 소자 연구실 (Advanced Functional nano device Lab.) 은
반도체 소자의 특성을 측정 및 분석을 통해 차세대 메모리 소자의 개발 방향을 제시하는데 주력하고 있습니다.
대표적으로 강유전체를 기반으로 한 FTJ, Ferro-cap과 DRAM용 IGZO TFT 및 RRAM을 연구하고 있습니다.
대표적으로 강유전체를 기반으로 한 FTJ, Ferro-cap과 DRAM용 IGZO TFT 및 RRAM을 연구하고 있습니다.
- AFM (Atomic Force Microscope)의 PFM mode를 이용한 강유전체 박막의 분극 특성, C-AFM mode를 이용한 비휘발성 메모리의 on/off 특성 및 다양한 재료의 grain 분석 기술
- Oscilloscope, Pulse generator를 이용한 강유전체 및 메모리 특성 분석
- FORC 분석법을 이용한 강유전체 switching density의 정밀한 분석 기술
- Impedance Analyzer를 이용한 소자 전기적 회로 분석
- Low Frequency Noise measurement를 이용한 electron transport mechanism에 대한 분석 기술 보유
이와 같은 다양한 측정 및 분석 기술을 통해 뉴로모픽 디바이스, Logic in Memory 등 새로운 메모리 소자로의 적용 가능성을 모색하며, DRAM Cell capacitor의 개발 방향을 제시합니다.
